文献

J-GLOBAL ID：201502235357274628   整理番号：15A0452192

二次元材料チャネルを含むMOSFETにおける短チャネル効果のシミュレーション研究

Simulation Study of Short-Channel Effect in MOSFET with Two-Dimensional Materials Channel

著者 (3件)： HARADA Naoki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  SATO Shintaro (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST)) ,  YOKOYAMA Naoki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E98.C  号： 3  ページ： 283-286 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的に薄いMoS₂チャネルを含む区MOSFETにおける短チャネル効果(SCE)をTCADシミュレータを用いて調べた。SCEの指標として表面電位ロールアップ,ドレイン誘起障壁低下(DIBL),閾値電圧および閾値スウィング(SS)を導出し,チャネル厚(原子層数)およびチャネル長に対するこれらの指標の依存性を解析した。1原子層厚MoS₂ MOSFETのための最小スケーラブルチャネル長は閾値電圧ロールオフから7.6nmであると決定した。1層厚デバイスのDIBLは小さく,20nmゲート長で87mV/Vであった。高kゲート絶縁体を使用すると,10nm以下スケールデバイスにおいて70mV/decよりも小さいSSを達成できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： チャネル ,  *二次元 ,  *MOSFET ,  *短チャネル効果 ,  *シミュレーション ,  *硫化モリブデン ,  *CAD【計算機】 ,  *シミュレータ ,  表面電位 ,  電圧 ,  層 ,  長さ ,  *ゲート【半導体】 ,  誘電率 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： TCAD ,  DIBL ,  閾値電圧 ,  原子層 ,  チャネル長 ,  ゲート長

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (29件)：

• [1] M. Bohr, “The evolution of scaling from the homogeneous era to the heterogeneous era,” IEDM Tech. Dig., pp.1–6, Dec. 2011.
• [2] M. Lundstrom and J. Guo, Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation, Springer, New York, 2006.
• [3] K. J. Kuhn, “Considerations for ultimate CMOS scaling,” IEEE Trans. Electron. Dev., vol.59, no.7, pp.1813–1828, July 2012.
• [4] K. Uchida, H. Watanabe, A. Kinoshita, J. Koga, T. Numata, and S. Takagi, “Experimental study on carrier transport mechanism in ultrathin-body SOI n- and p-MOSFETs with SOI thickness less than 5 nm,” IEDM Tech. Dig., pp.47–50, Dec. 2002.
• [5] Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, and M. S. Strano, “Electronics and optolectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides,” Nat. Nanotechnol., vol.7, no.11, pp.699–712, Nov., 2012.

タイトルに関連する用語 (6件)： 二次元材料 ,  チャネル ,  MOSFET ,  短チャネル効果 ,  シミュレーション ,  研究