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J-GLOBAL ID：201502235570539023   整理番号：15A0170259

アンモニアベースの分子ビームエピタクシーによって成長させたMgドープp型GaN中の深い準位状態に及ぼす陽子照射の効果

Proton irradiation effects on deep level states in Mg-doped p-type GaN grown by ammonia-based molecular beam epitaxy

著者 (9件)： ZHANG Z. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  AREHART A. R. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  KYLE E. C. H. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  CHEN J. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA) ,  ZHANG E. X. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA) ,  FLEETWOOD D. M. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA) ,  SCHRIMPF R. D. (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Vanderbilt Univ., Nashville, Tennessee 37235, USA) ,  SPECK J. S. (Dep. of Materials, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  RINGEL S. A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 2  ページ： 022104-022104-5  発行年： 2015年01月12日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ドーピング ,  *マグネシウム ,  P型半導体 ,  *深い準位 ,  *陽子照射 ,  MBE成長 ,  アンモニア ,  深準位過渡分光法 ,  1-10MeV ,  フルエンス ,  照射損傷 ,  欠陥準位 ,  *捕獲中心 ,  空格子点 ,  格子間原子
準シソーラス用語： フォトキャパシタンス ,  電気容量

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (8件)： アンモニア ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  深い準位 ,  陽子照射