SMALC-KOZIOROWSKA Julita について
Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ... について
GRZANKA Ewa について
Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ... について
CZERNECKI Robert について
Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ... について
SCHIAVON Dario について
Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ... について
LESZCZYNSKI Mike について
Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sci., Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland and TopGaN Ltd. ... について
Applied Physics Letters について
多重量子井戸 について
化合物半導体 について
インジウム化合物 について
窒化ガリウム について
MOCVD について
エピタクシー について
温度 について
温度依存性 について
ポテンシャル障壁 について
積層欠陥 について
格子不整合 について
溝 について
穴 について
貫通転位 について
ループ について
表面欠陥 について
InGaN について
トレンチ について
成長温度 について
多重量子障壁 について
底面積層欠陥 について
半導体量子井戸 について
半導体の格子欠陥 について
半導体の結晶成長 について
半導体薄膜 について
InGaN について
GaN について
トレンチ について
欠陥 について
ピット について