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J-GLOBAL ID：201502235832273496   整理番号：15A0445091

単層半導性遷移金属二カルコゲン化物の欠陥に誘起された光ルミネセンス

Defect-Induced Photoluminescence in Monolayer Semiconducting Transition Metal Dichalcogenides

著者 (7件)： CHOW Philippe K. (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  JACOBS-GEDRIM Robin B. (SUNY Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, New York, USA) ,  GAO Jian (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  LU Toh-Ming (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  YU Bin (SUNY Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, New York, USA) ,  TERRONES Humberto (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  KORATKAR Nikhil (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 9  号： 2  ページ： 1520-1527  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 何もしないWS₂とMoS₂の単層の六方格子にプラズマ照射により意図的に原子スケールの欠陥を発生させ,欠陥の発展をRamanスペクトルと光ルミネセンススペクトルにより調べた。高分解能電子顕微鏡観察により,これら単層に原子スケールの欠陥が発生したことを確かめた。Ramanスペクトルはこれら欠陥には敏感でないことが分った。光ルミネセンスには,中性の自由励起子ピークより下~0.1eVに欠陥が関係した特徴が見られた。この特徴は欠陥に束縛された中性励起子から生じ,2次元シートに欠陥が増えると強度が高くなることが分った。この特徴は空気中,雰囲気条件で観測された。

シソーラス用語： タングステン化合物 ,  硫化物 ,  *硫化モリブデン ,  単原子層 ,  *Ramanスペクトル ,  高分解能電子顕微鏡 ,  *光ルミネセンス ,  励起子 ,  プラズマ曝露
準シソーラス用語： プラズマ照射 ,  照射減衰 ,  中性励起子 ,  *硫化タングステン

分類 (3件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単層 ,  半導性 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  欠陥 ,  誘起 ,  光ルミネセンス