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J-GLOBAL ID：201502236009283270   整理番号：15A0479086

水素処理NbO₂薄膜の電圧誘起金属-絶縁体転移

Voltage-induced insulator-to-metal transition of hydrogen-treated NbO₂ thin films

著者 (3件)： KANG Minkook (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  YU Sangbae (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR) ,  SON Junwoo (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Gyungbuk, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 9  ページ： 095301,1-5  発行年： 2015年03月11日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 温度や外場により金属-絶縁体(MIT)転移を示す強い電子相関のある化合物が興味を引いている。なかでも,VO₂やNbO₂のような遷移金属酸化物は,抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)への応用が期待されている。これらの化合物に特有な急激で非線形的に変化する電流電圧(I-V)特性曲線は,予期できない電流経路の発生を抑制し,読み出し誤差を減らす効果がある。MIT転移を利用した素子のI-V特性を最適化するためには,MIT機構を十分に理解する必要がある。様々なMIT転移機構が提案されているが,遷移金属酸化物における外部刺激によるMIT転移は,Mott-Hubbardギャップの崩壊により説明されている。いままでに,VO₂を用いた素子素子特性についてはよく研究され,転移温度が比較的低く,素子の安定性が悪いことが明らかにされている。この点で,転移点が1081°Cとかなり高いNbO₂は,より安定性が高いと期待される。そこで,本研究では,水素を含む形成ガス中で作製したNbO₂薄膜の電場によって誘起されるMIT転移について調べた。試料は,NbO₂層を白金で挟んだサンドイッチ構造をとる。触媒反応により,水素がNbO₂層内へ容易に取り込まれ,MIT転移温度が著しく低くなることがわかった。

シソーラス用語： *水素 ,  *酸化ニオブ ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *金属-絶縁体転移 ,  *ドーピング ,  電子系 ,  遷移金属化合物 ,  電流電圧特性 ,  Mott転移 ,  触媒反応
準シソーラス用語： 酸化物薄膜 ,  強相関電子系 ,  遷移金属酸化物 ,  Mott-Hubbard転移

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素処理 ,  薄膜 ,  電圧誘起 ,  金属-絶縁体転移