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J-GLOBAL ID：201502236293757804   整理番号：15A0304307

縮尺したInGaAsとSiを対比したトライゲートMOSFETにおける移動度および容量比較

Mobility and Capacitance Comparison in Scaled InGaAs Versus Si Trigate MOSFETs

著者 (5件)： MARIN Enrique G. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  RUIZ Francisco G. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  GODOY Andres (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  TIENDA-LUNA Isabel M. (Universidad de Granada, Granada, ESP) ,  GAMIZ Francisco (Universidad de Granada, Granada, ESP)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 2  ページ： 114-116  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS将来技術ノードのリファレンスデバイスと目されるInGaAsトライゲートをとりあげ,Siトライゲートとの理論的比較を行った。最新の物理モデルを用いて,ゲート容量と電子移動度を調査した。シミュレーションをもとに,InGaAsトライゲートの電子移動度が強烈に低下しSiトライゲートで得られる値をさらに下まわると推定した。低状態密度に起因するゲート容量の低下,Lバレー占有数に起因する移動度の低下,および移動度に対する半導体-絶縁体界面品質の支配的影響を指摘した。これらの項目がIII-V族トライゲート導入に向けて打破すべき主要な障害となると述べた。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *キャリア移動度 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  ケイ素 ,  状態密度 ,  *容量
準シソーラス用語： *ゲート容量 ,  *マルチゲートMOSFET ,  *電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 縮尺 ,  InGaAs ,  Si ,  対比 ,  トライゲート ,  MOSFET ,  移動度