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J-GLOBAL ID：201502236526610051   整理番号：15A0457198

シリコン太陽電池における拡散層への超音波スプレー熱分解により成長した酸化インジウムすずとフッ素ドープした酸化インジウム膜の接触抵抗

Contact resistance of indium tin oxide and fluorine-doped indium oxide films grown by ultrasonic spray pyrolysis to diffusion layers in silicon solar cells

著者 (4件)： UNTILA G.G. (Skobeltsyn Inst. of Nuclear Physics, Lomonosov Moscow State Univ., Moscow 119991, RUS) ,  KOST T.N. (Skobeltsyn Inst. of Nuclear Physics, Lomonosov Moscow State Univ., Moscow 119991, RUS) ,  CHEBOTAREVA A.B. (Skobeltsyn Inst. of Nuclear Physics, Lomonosov Moscow State Univ., Moscow 119991, RUS) ,  KIREEVA E.D. (Skobeltsyn Inst. of Nuclear Physics, Lomonosov Moscow State Univ., Moscow 119991, RUS)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 137  ページ： 26-33  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン太陽電池の透明導電性酸化物と拡散層の間の接触抵抗を評価する簡単な方法を提案した。超音波スプレー熱分解法で成長したn⁺⁺-Siとp⁺⁺-Si層間,およびIn₂O₃:Sn(ITO)とIn₂O₃:F(IFO)膜間の接触抵抗におよぼす膜の成長温度の効果を調べた。IFO/SiO₂/n⁺⁺-Si構造におけるSiO₂層の特性におよぼす成長温度の効果を,Fourier変換赤外吸収分光法で調べた。n⁺⁺-Si層上へのIFO堆積工程を修正して,IFO/SiO₂/n⁺⁺-Si接触抵抗の低減を図った。修正したIFOの利用により,低集光型応用のITO/(p⁺⁺n⁺⁺)Cz-Si/IFO両面太陽電池の直列抵抗は,0.39Ωcm²から0.26Ωcm²まで,0.13Ωcm²の減少が見られ,結果として,濃度比の動作域が1~3.5×から1~5.3×まで,1.5因子分拡大され,また動作域での効率が,17.6~17.9から17.7~18.2%に改善された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *太陽電池 ,  *拡散層 ,  *接触抵抗 ,  *熱分解 ,  噴霧 ,  *酸化インジウムスズ ,  *ドーピング ,  *酸化インジウム ,  薄膜 ,  温度依存性 ,  薄膜成長 ,  エネルギー変換効率 ,  電気抵抗率 ,  赤外吸収スペクトル ,  液相成長
準シソーラス用語： 超音波噴霧 ,  FTIRスペクトル

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン太陽電池 ,  拡散層 ,  超音波スプレー熱分解 ,  成長 ,  酸化インジウムすず ,  フッ素 ,  ドープ ,  酸化インジウム ,  接触抵抗