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J-GLOBAL ID：201502236968628642   整理番号：15A0222865

マイクロ波照射ポスト堆積アニーリングを用いた高性能超薄ボディSnO₂薄膜トランジスタの作製

Fabrication of high-performance ultra-thin-body SnO₂ thin-film transistors using microwave-irradiation post-deposition annealing

著者 (3件)： JO Kwang-won (Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 20 Gwangun-ro, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR) ,  MOON Sung-wan (Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 20 Gwangun-ro, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR) ,  CHO Won-ju (Dep. of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon Univ., 20 Gwangun-ro, Nowon-gu, Seoul 139-701, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 4  ページ： 043501-043501-4  発行年： 2015年01月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *酸化スズ ,  *超薄膜 ,  焼なまし ,  *マイクロ波照射 ,  *膜厚 ,  *透過率 ,  伝送特性 ,  移動度 ,  比率 ,  性能指数 ,  モード
準シソーラス用語： アニーリング ,  *光透過率 ,  オンオフ比 ,  サブ閾値スイング ,  エンハンスメントモード

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： マイクロ波照射 ,  堆積 ,  アニーリング ,  高性能 ,  ボディ ,  薄膜トランジスタ ,  作製