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J-GLOBAL ID：201502237230258715   整理番号：15A0012620

プラズマCVDヘテロエピタキシャルグラフェン素子の電子的性質に及ぼす前処理の影響【Powered by NICT】

Effects of Pretreatment on the Electronic Properties of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Hetero-Epitaxial Graphene Devices

著者 (4件)： Zhang Lianchang (Dep. of Physics, Kunming Univ., Kunming) ,  Shi Zhiwen (Inst. of Physics,Chinese Acad. of Sciences Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Beijing) ,  Yang Rong (Inst. of Physics,Chinese Acad. of Sciences Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Beijing) ,  Huang Jian (Dep. of Physics, Kunming Univ., Kunming)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 31  号： 9  ページ： 97301-1-97301-4  発行年： 2014年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Quasi-monolayerグラフェンは著者らが以前に報告されたプラズマ増強化学気相成長ヘテロエピタキシャル法により成長させることができた。その電気的性質を測定するために,作製したグラフェンは通常の微細加工法によるHallボール形素子を作製した。しかし,グラフェン表面上に吸着した不純物分子は1原子厚膜材料にかなりのドーピング効果を課すことになる。著者らの実験は,放熱ベーキング及び電気的アニーリングによるデバイスの前処理は劇的にグラフェンのドーピング状態に影響を及ぼし,その結果電気的性質を変えることができることを実証した。作製したデバイス中のグラフェンは高度にpドープしたが,VよりはるかにでのDirac点の位置で確認されたように,約180°Cの温度でベーキング処理は有意にドーピングレベルを低下させ,伝導率を減少させることができる。電気アニーリングは外因性分子を脱着するためにはるかに効率的で,その場測定により確認されたように,結果として,さらにグラフェンのドーピング状態と電気的性質を修飾し,Vを超えてから0Vまで伝導率のかなりの低下とDirac点のシフトを引き起こすData from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *プラズマ ,  電気的性質 ,  微細加工 ,  不純物 ,  厚膜 ,  熱放射 ,  焼成 ,  焼なまし ,  ドーピング ,  *グラフェン
準シソーラス用語： デバイス ,  Dirac点 ,  伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマCVD ,  電子 ,  性質 ,  前処理