文献

J-GLOBAL ID：201502237233057249   整理番号：15A0459326

光通信 電子線ホログラフィとローレンツ顕微鏡を用いた半導体レーザの解析

著者 (4件)： 佐々木宏和 (古河電気工業) ,  大友晋哉 (古河電気工業) ,  湊龍一郎 (古河電気工業) ,  吉田順自 (古河電気工業)
資料名： 古河電工時報(Web)
号： 134  ページ： 33-39 (WEB ONLY)  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： U0003A  ISSN： 1348-1789  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 透過型電子顕微鏡の手法の一つである電子線ホログラフィとローレンツ顕微鏡を用いて,GaAs(ガリウムヒ素)のモデル試料の観察と半導体レーザの解析を行った。電子線ホログラフィ観察では,pn接合のみならず,異なるドーパント濃度領域である1×10¹⁹と1×10¹⁸cm^-3の界面と1×10¹⁸と1×10¹⁷cm^-3の界面を観察することができた。また,半導体レーザの解析事例について紹介し,これらの手法が実用的に用いられていることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： 光通信 ,  *ホログラフィー ,  *ヒ化ガリウム ,  *半導体レーザ ,  PN接合 ,  ドーパント ,  不純物濃度 ,  *Lorentz力 ,  *電子顕微鏡観察 ,  電位分布 ,  干渉縞 ,  空間分解能 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 電子線ホログラフィー ,  Lorentz顕微鏡

分類 (2件)： 顕微鏡法  (BK01040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (32件)：

• F. Iwase, Y. Nakamura, and S. Furuya: “Secondary electron emission from Si-implanted GaAs”, Appl. Phys. Lett., 64(1994), 1404.
• 工藤政都, 境悠治, 市ノ川竹男: “走査型オージェ電子顕微鏡による仕事関数の測定とその応用”, J. Surf. Anal., 7(2000), 188.
• A. Erickson, L. Sadwick, G. Neubauer, J. Kopanski, D. Adderton and M. Rogers: “Quantitative scanning capacitance microscopy analysis of two-dimensional dopant concentrations at nanoscale dimensions”, J. Electronic Materials, 25(1996),301.
• 一般財団法人ファインセラミックスセンター; http://www.jfcc. or.jp/( 参照日 2014年11月11日)
• D. Gabor: “A new microscopic principle”, Nature, 161(1948),777.

タイトルに関連する用語 (5件)： 光通信 ,  電子線ホログラフィ ,  ローレンツ顕微鏡 ,  半導体レーザ ,  解析