文献

J-GLOBAL ID：200902176100716553   整理番号：96A0303468

ナノメータ尺度での2次元ドーパント濃度の定量的走査型静電容量顕微鏡解析

Quantitative Scanning Capacitance Microscopy Analysis of Two-Dimensional Dopant Concentrations at Nanoscale Dimensions.

著者 (6件)： ERICKSON A (Univ. Utah, UT) ,  SADWICK L (Univ. Utah, UT) ,  NEUBAUER G (Intel Corp., CA) ,  KOPANSKI J (National Inst. Standards and Technol., MD) ,  ADDERTON D (Digital Instruments, CA) ,  ROGERS M (Digital Instruments, CA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 25  号： 2  ページ： 301-304  発行年： 1996年02月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオン注入したシリコン断面に対する,2次元(2-D)半導体ド...

シソーラス用語： イオン注入 ,...
準シソーラス用語： 走査型静電容量顕微鏡

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0303468&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0277B") }}

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： ナノメータ ,  尺度 ,  2次元 ,  ドーパント ,  定量 ,  走査型 ,  静電容量 ,  顕微鏡 ,  解析