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J-GLOBAL ID：201502237328976900   整理番号：15A0700970

世界初の全SiCから成る走行用インバーターへの応用を目指した3.3kV/1500Aパワーモジュール

3.3kV/1500A power modules for the world’s first all-SiC traction inverter

著者 (15件)： HAMADA Kenji (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  HINO Shiro (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  HINO Shiro (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol. (FUPET), Tokyo, JPN) ,  MIURA Naruhisa (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  MIURA Naruhisa (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol. (FUPET), Tokyo, JPN) ,  WATANABE Hiroshi (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  WATANABE Hiroshi (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol. (FUPET), Tokyo, JPN) ,  NAKATA Shuhei (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  NAKATA Shuhei (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol. (FUPET), Tokyo, JPN) ,  SUEKAWA Eisuke (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  EBIIKE Yuji (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  IMAIZUMI Masayuki (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  UMEZAKI Isao (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  YAMAKAWA Satoshi (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  YAMAKAWA Satoshi (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol. (FUPET), Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DP07.1-04DP07.4  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,定格電圧が3.3kVの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスター(MOSFET)とショットキー障壁ダイオード(SBD)を含む4H-SiCデバイスを巧く開発した結果を報告する。SiC-MOSFETの導通損失は,接合型電界効果トランジスター領域へn-ドーピング(JFETドーピング)されたSiを基本とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスター(IGBT)と同じくらい低くなることが分かった。JFETドーピング技術はJFET領域における抵抗の温度係数を減らすのに有効で,高温におけるSiC-MOSFETのオン-抵抗の減少につながる。これらのデバイスは,全SiC走行用インバーターのための3.3kV/1500Aモジュールに初めて応用された。新しい走行用インバーター・システムのスイッチング損失は,Siモジュールを組み込んだ従来のインバーター・システムにおけるスイッチング損失の55%以下であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  接合形FET ,  *ドーピング ,  *インバータ ,  *回路モジュール ,  *スイッチング損失
準シソーラス用語： パワーモジュール

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  サイリスタ  (NC03060C) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (30件)：

• M. Bhatnagar and B. J. Baliga, IEEE Trans. Electron Devices 40, 645 (1993).
• H. Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 7565 (2006).
• T. Kimoto, Tech. Dig. 2010 Symp. VLSI Technology, 2010, p. 9.
• Web [http://www.mitsubishielectric.com/news/2011/1003.html].
• Web [http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2012/0927-b.html].

タイトルに関連する用語 (5件)： 世界 ,  SiC ,  インバーター ,  応用 ,  パワーモジュール