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J-GLOBAL ID：201502237496772872   整理番号：15A0597866

テトラキス(ジエチルアミノ)ジルコニウムとフォーミングガス(5%H₂+95%N₂)プラズマを使用する導電性窒化ジルコニウム膜の低温プラズマ増強原子層蒸着

Low temperature plasma enhanced atomic layer deposition of conducting zirconium nitride films using tetrakis (dimethylamido) zirconium and forming gas (5% H₂ + 95% N₂) plasma

著者 (2件)： MUNESHWAR Triratna (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Alberta, Edmonton, Alberta T6G 2V4, CAN) ,  CADIEN Ken (Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Alberta, Edmonton, Alberta T6G 2V4, CAN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 3  ページ： 031502-031502-7  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ジルコニウム(ZrN)はIVおよびV群遷移金属窒化物の中で最も低いバルクな電気抵抗と高い熱安定性をもち,Cu配線のための拡散障壁,III-V半導体素子や高密度メモリ構造での接触金属のようなULSI応用にとって有望な材料を作る。Zr[N(CH₃)₂]と₄とフォーミングガス(5%H₂+95%N₂)プラズマを使用する導電性ZrHのプラズマ増強原子層蒸着(PEALD)がこの論文で報告される。各蒸着に対するサイクル当たり成長(GPC)が動力学的in-situ分光偏光解析(d-iSE)の解析から決定された。実験設計がALD成長飽和曲線のより高速な決定のために提案される。150°Cの基板温度で,0.10nm/サイクルのGPCは自己制限ZrN PEALD成長に対して観測された。SiO₂基板上で蒸着されたZrN膜の電気抵抗は空気への~100h曝露後でさえ,抵抗の無視できる変化しかなく,559.5±18.5μΩcmでることが見出された。筆者らのZrN膜の金属挙動は誘電体応答での自由電子分散成分,Fermi順位を横切る光電子放出のブロードバンド,及び0.0088/°Cの抵抗に対する正の温度係数から明白であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマ ,  ジルコニウム化合物 ,  窒化物 ,  *化学蒸着 ,  *薄膜 ,  導電性 ,  混合気体
準シソーラス用語： 窒化ジルコニウム ,  原子層蒸着 ,  フォーミングガス

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (9件)： テトラ ,  ジルコニウム ,  フォーミングガス ,  プラズマ ,  導電性 ,  窒化ジルコニウム ,  低温プラズマ ,  増強 ,  原子層蒸着