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J-GLOBAL ID:201502237519954280   整理番号:15A0564619

Te-Se-SトリプルドーピングのCoSb3スクッテルダイトの熱電特性への影響

Effect of Te-Se-S Triple Doping on the Thermoelectric Properties of CoSb3 Skutterudites
著者 (5件):
資料名:
巻: 44  号:ページ: 1674-1678  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Te-SeあるいはTe-Sの同時ドーピングは,スクッテルダイト化合物の熱伝導性の低減及び熱電特性の向上に効果的な方法である。本論文では,より高いZTの値を達成するために,著者らは新たなドーピングの組み合わせ,すなわちTe-Se-Sドーピングを使用した。CoSb<sub>2.79</sub>Te<sub>0.16</sub>Se<sub>0.05-x</sub>S<sub>x</sub>(x=0.0,0.01,0.025,0.04,0.05)の高密度なサンプルを,従来の固相反応ののちスパークプラズマ焼結により作製した。X線回折パターンは,すべてのサンプルが単相CoSb<sub>3</sub>スクッテルダイトであることを示した。すべてのサンプルの格子熱伝導率は,各温度において硫黄元素の追加により単調に減少した。これは,テリウムのドープ比率を0.16で安定している時の格子熱伝導率の低減に関して,硫黄がセレンに優ることを意味するものであった。800°Cにおいて最大のZT値1.25がx=0.05のサンプルに対して得られた。これは格子熱伝導率が低いためであり,x=0.0のサンプルのZT値よりも約12%高かった。Copyright 2014 The Minerals, Metals & Materials Society. Translated from English into Japanese by JST.
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熱電デバイス 
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