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J-GLOBAL ID:201502237759458590   整理番号:15A0590191

高周波プラズマ蒸着による太陽電池窓層用のホウ素添加高伝導性p型ナノ結晶性酸化ケイ素薄膜

Radio frequency plasma deposited boron doped high conductivity p-type nano crystalline silicon oxide thin film for solar cell window layer
著者 (9件):
資料名:
巻: 159  ページ: 64-70  発行年: 2015年06月01日 
JST資料番号: E0934A  ISSN: 0254-0584  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ワイドバンドギャップp型ナノ結晶性酸化ケイ素(p-nc-SiO:H)窓層は,多接合太陽電池に利用可能である。水素希釈度を高くし,プラズマ電力を低くすることによって,光学ギャップが大きく導電性の高い材料を製造した。CO2流量を0.3から2.5sccmへ変化させることによって結晶体積率(Xc)が43.7%から4.5%の範囲の薄膜を得,プラズマ電力密度を426から28mW/cm2に減少させることによってXcが14.0%から45.8%に増加することが観察された。高いプラズマ電力では水素希釈によって薄膜の特性に有意な変化は得られなかった。電気伝導度及び活性化エネルギーは低いプラズマ電力密度の場合に望ましい値であることが観察され,プラズマ電力密度28mW/cm2にてそれぞれ3.4×10-2S cm-1および0.102eVであった。低いプラズマ電力では多数のSiH3ラジカルが成膜に関与し,それによって薄膜特性が向上すると考えられる。選択したp-nc-SiO:Hを用いて作製した太陽電池では,量子効率の短波長応答が改善し,このようなp型材料を用いることの利点が示された。p-nc-SiO:H薄膜の光学ギャップは1.784から2.130eVの範囲であった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  非金属化合物  ,  プラズマ応用  ,  半導体結晶の電気伝導 

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