二重Pb[Zr,Ti]O<sub>3</sub>層を用い厚さを増した薄膜圧電バイモルフアクチュエータ

INOUE Jun-Ichi; KANDA Kensuke; FUJITA Takayuki; MAENAKA Kazusuke

文献

J-GLOBAL ID：201502238318889444 整理番号：15A0693554

二重Pb[Zr,Ti]O₃層を用い厚さを増した薄膜圧電バイモルフアクチュエータ

Thin-film piezoelectric bimorph actuators with increased thickness using double Pb[Zr,Ti]O₃ layers

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巻： 25 号： 5 ページ： 055001,1-12 発行年： 2015年05月
JST資料番号： W1424A ISSN： 0960-1317 CODEN： JMMIEZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

優れた圧電材料であるジルコン酸チタン酸鉛[Pb(Zr,Ti)O₃;PZT]薄膜の二重層を含有するバイモルフ構造について,厚さを増すことの効果を調査した。電極構造と温度条件を改良したRFマグネトロンスパッタリングで,従来のバイモルフよりもはるかに厚い,合計厚さ5.8μmの薄膜PZT/PZTバイモルフを作製した。ふたつの圧電層の特性は類似し,良好な電気特性と強磁性特性を示した。PZT/PZTバイモルフ片持ち梁を作製し,アクチュエータ応用向けの特性を評価した。電圧印加時の振動試験で,単層作動との比較で2倍の変位を明らかにした。また,従来のPZT/PZTバイモルフ片持ち梁よりも良好な圧電係数値(-61pmV^-1)を得た。温度変化の影響もユニモルフ構造と比べてずっと小さい。PZT/PZTバイモルフ構造はMEMSデバイスとして有効である。

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圧電デバイス

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二重Pb[Zr,Ti]O3層を用い厚さを増した薄膜圧電バイモルフアクチュエータ

二重Pb[Zr,Ti]O₃層を用い厚さを増した薄膜圧電バイモルフアクチュエータ