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J-GLOBAL ID：201502238584630650   整理番号：15A0746008

結晶性シリコンクラスターの超格子構造への結晶コアレッセンス

Crystallographic Coalescence of Crystalline Silicon Clusters into Superlattice Structures

著者 (4件)： IWATA Yasushi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  TOMITA Kanako (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN) ,  UCHIDA Takeyuki (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Osaka, JPN) ,  MATSUHATA Hirofumi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Tsukuba, JPN)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 15  号： 5  ページ： 2119-2128  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン基板上で超格子構造を形成するシリコンクラスターの結晶コアレッセンスをレーザー切除型シリコンクラスタービーム系を用いて研究した。このパルスビームの衝撃波閉じ込めによってシリコンクラスターの成長は制御されて,均一サイズ分布で濃縮したシリコンクラスター相になった。高分解能透過型電子顕微鏡観測と透過電子線回折によって,このシリコンクラスターは平均直径1.61±0.05nm(クラスターサイズ,Si_n(n=109))の単分散サイズ分布を示し,単結晶シリコンと同じ格子定数のsp³ダイヤモンド構造を保持していることがわかった。隣接のシリコンクラスターは表面のSi-Si原子間にsp³共有結合を形成し,原子の結晶軸をそろえて2.134±0.002nmの格子定数を有する超格子の結晶列を形成した。シリコンクラスターのhcp配置はグラフェン基板の結晶構造に相応している。このhcp超格子単位セルの格子定数はbcc超格子単位セルと一致している。Hcp超格子構造中のシリコンクラスター密度は1.782×10²⁸cm^-3であり,各層の密度は5.070×10¹³cm^-2になった。

シソーラス用語： *グラフェン ,  基板 ,  *ケイ素 ,  *クラスタ分子 ,  ナノ結晶 ,  *コアレッセンス ,  *結晶粒度 ,  粒度分布 ,  電子顕微鏡観察 ,  電子回折 ,  粒径 ,  分散【dispersion】 ,  格子定数 ,  ダイヤモンド型結晶 ,  超格子 ,  アラインメント
準シソーラス用語： 単分散 ,  整列 ,  *六方最密充填

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶性シリコン ,  クラスター ,  格子構造 ,  結晶 ,  コアレッセンス