研究者
J-GLOBAL ID：200901079006710780
更新日: 2022年09月12日
松畑 洋文
マツハタ ヒロフミ | Matsuhata Hirofumi
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所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセスチーム
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ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H66944455
研究分野 (5件)：
電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
, 数理物理、物性基礎
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (1件)：
回折物理 ナノ構造評価 半導体 機能性化合物 結晶学
MISC (23件)：
XQ Shen, H Okumura, H Matsuhata. Studies of the annihilation mechanism of threading dislocation in AlN films grown on vicinal sapphire (0001) substrates using transmission electron microscopy. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 87. 10. 101910-1-101910-3
Y Yoshida, SI Ikeda, H Matsuhata, N Shirakawa, CH Lee, S Katano. Crystal and magnetic structure of Ca3Ru2O7. PHYSICAL REVIEW B. 2005. 72. 5. 054412-1-054412-7
S Okayama, S Haraichi, H Matsuhata. Reference sample for the evaluation of SEM image resolution at a high magnification-nanometer-scale Au particles on an HOPG substrate. JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY. 2005. 54. 4. 345-350
XQ Shen, H Matsuhata, H Okumura. Reduction of the threading dislocation density in GaN films grown on vicinal sapphire(0001) substrates. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 86. 2. 021912-1-021912-3
GaN/AlN super-lattice structures on vicinal sapphire (0001) substrates grown by rf-MBE. phys. stat. sol. 2005. (c) 2. 7. 2385-2388
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学位 (1件)：
工学博士
所属学会 (6件)：
日本顕微鏡学会
, 日本物理学会
, 日本結晶学会
, Physical Society of Japan
, Japanese Society of Electron Microscopy
, Japanese Society of Crystallography
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