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J-GLOBAL ID：201502238673150670   整理番号：15A0698077

ゲートで調節できるInAs/(Al,Ga)Sb二次元電子ガスにおける散乱機構の研究

Studies of scattering mechanisms in gate tunable InAs/(Al,Ga)Sb two dimensional electron gases

著者 (5件)： SHOJAEI B. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA) ,  MCFADDEN A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SHABANI J. (California NanoSystems Inst., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SCHULTZ B. D. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  PALMSTROM C. J. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 22  ページ： 222101-222101-4  発行年： 2015年06月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  *ヒ化インジウム ,  アンチモン化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *二次元電子ガス ,  キャリア散乱 ,  低温 ,  *キャリア移動度 ,  *キャリア寿命 ,  キャリア密度 ,  転位【結晶】 ,  帯電 ,  格子不整合

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (9件)： ゲート ,  調節 ,  InAs ,  Al ,  Ga ,  Sb ,  二次元電子ガス ,  散乱 ,  研究