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J-GLOBAL ID:201502240051684575   整理番号:15A0473116

SOI層の直接ボンディングで製作したピクセルパラレルA/Dコンバータによる三次元集積CMOSイメージセンサ

Three-Dimensional Integrated CMOS Image Sensors with Pixel-Parallel A/D Converters Fabricated by Direct Bonding of SOI Layers
著者 (9件):
資料名:
巻: 2014  ページ: 84-87  発行年: 2014年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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従来のCMOSイメージセンサは,コラムパラレル信号処理の為に同じ基板面上に光検出器と信号プロセッサを配置している。コラムの多くのピクセルが一つの信号プロセッサを共有するので信号処理速度改善が難しい。各ピクセルが専用の信号プロセッサを持つピクセルパラレル信号処理が最善の解である。ピクセルパラレルセンサのフレームレートは高いが信号プロセッサの大きさで制限される空間解像度が悪い。解像度を上げるために開発した方法は,ピクセルパラレルADCをCMOSイメージセンサと重ねて三次元にした。フォトダイオードとインバータ層はダマシンAu電極で直接接続され,各ピクセルでピクセル内AD変換が可能になる。開発したセンサの線形性は良好でダイナミックレンジは80dB以上である。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
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その他の固体デバイス  ,  AD・DA変換回路 

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