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J-GLOBAL ID：201502240058213560   整理番号：15A0557557

3次元LSIの応用

Applications of three-dimensional LSI

著者 (4件)： KOYANAGI Mitsumasa (Tohoku Univ., JPN) ,  FUKUSHIMA Takafumi (Tohoku Univ., JPN) ,  LEE Kang-Wook (Tohoku Univ., JPN) ,  TANAKA Tetsu (Tohoku Univ., JPN)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 40  号： 3  ページ： 242-247  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模集積回路(LSI)の素子サイズをスケールダウンするには,様々な種類のサイズ,素子,及び材料が異なる素子チップを垂直に積層する不均一3次元集積の概念が不可欠となる。そのため,自己集合・静電(SAE)接合の技術が開発された。SAE接合による3次元集積技術によって,化合物半導体素子チップ,フォトニクス素子,相補型金属酸化物半導体チップ上のスピントロニクス素子など様々な種類のチップの3次元不均一積層が可能となった。SAE接合法により製造された不均一3次元LSIには,将来の自動で走る車に使う,自己試験と自己修復の機能がある極めて高速な処理速度の3次元イメージセンサや3次元マイクロプロセッサがある。

シソーラス用語： *集積回路 ,  相互接続 ,  半導体材料 ,  超LSI ,  多層配線 ,  CMOS構造 ,  スピントロニクス ,  イメージセンサ
準シソーラス用語： フォトニクス ,  *三次元集積回路

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 3次元 ,  LSI ,  応用