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J-GLOBAL ID：201502241353357162   整理番号：15A0434612

グラフェンへの微細加工およびイオンビーム照射によるキャリア散乱への影響

著者 (1件)： 高井和之 (法政大 生命科学)
資料名： 法政大学イオンビーム工学研究所報告  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University)
号： 34  ページ： 3-8  発行年： 2015年02月12日 
JST資料番号： S0830B  ISSN： 0286-0201  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンハニカム格子に位相幾何学的変調を加え,伝導キャリアの散乱機構の変化を調べた。SiO₂/Si基板上にグラファイトを劈開した得たグラフェンの酸素プラズマエッチングにより,辺が100nmの正方形が200nmピッチで配列したアンチドットパターンを作成し,あるいはArイオンビームにより,グラフェンに単原子空格子点を形成し,電気伝導率,磁気抵抗,及びRaman分光測定を行った。アンチドットパターンのグラフェンでは,微細加工プロセスで生じた荷電不純物による伝導キャリア散乱が支配的となり,加工により作成した構造により散乱の影響を評価することはできなかった。Arイオンビームで導入した空格子点がRamanスペクトルにDバンドを生じるバレー内散乱を起こす短距離ポテンシャルとして作用し,キャリア輸送の主要な散乱源になることが分った。

シソーラス用語： 炭素材 ,  格子 ,  プラズマエッチング ,  量子ドット ,  *空格子点 ,  グラファイト ,  劈開【結晶】 ,  *電気伝導率 ,  *磁気抵抗効果 ,  *Ramanスペクトル ,  キャリア散乱 ,  イオンビーム ,  イオン照射 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ハニカム格子 ,  *アンチドット

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  微細加工 ,  イオンビーム照射 ,  キャリア散乱