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J-GLOBAL ID：201502241652356601   整理番号：15A0285359

グラフェン系物質のデバイス応用にむけた展望と問題

Theoretical Aspects of Graphene Related Materials for Device Applications

著者 (4件)： 岡田晋 (筑波大学・数理物質科学研究科) ,  丸山実那 (筑波大学・数理物質科学研究科) ,  山中綾香 (筑波大学・数理物質科学研究科) ,  CUONG Nguyen Thanh (Nanosystem Res. Inst. (NRI), National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST))
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 57  号： 12  ページ： 439-443 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 異種物質によるグラフェンの電子物性変調に関する研究結果を紹介した。1)異種物質してグラフェンの担持基板に使われているSiO₂,2)デバイスの動作時に本質となる外部電場,3)トポロジカルな欠陥に注目し,これらから引き起こされる電子物性変形を密度汎関数理論に基づく電子状態計算を行って調べた。1)ではα石英の酸素曝露表面上に吸着したグラフェンの構造,吸着エネルギー,グラフェン-α石英表面間距離を計算した。シラノール化表面上のグラフェンの電子構造を調べた。2)垂直電場と平行電場がグラフェンの電子構造に及ぼす影響を調べた。3)ではグラフェンのトポロジカル欠陥が最も稠密に導入されたsp²炭素による2次元ネットワークでどのような電子構造が出現するか調べた。

シソーラス用語： 基 ,  炭素材 ,  基板 ,  二酸化ケイ素 ,  *吸着 ,  吸着エネルギー ,  核間距離 ,  *バンド構造 ,  *電場効果 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  *欠陥準位 ,  配位数 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： シラノール基 ,  グラフェンナノリボン

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

引用文献 (22件)：

• 1) H. W. Kroto, J. R. Heath, S. C. O'Brien, R. F. Curl and R. E. Smalley: Nature, 318 (1985) 162.
• 2) S. Iijima: Nature, 354 (1991) 56.
• 3) D. Vanderbilt and J. Tersoff: Phys. Rev. Lett., 68 (1992) 511.
• 4) S. Saito and A. Oshiyama: Phys. Rev. Lett., 66 (1991) 2637.
• 5) N. Hamada, S.-I. Sawada and A. Oshiyama: Phys. Rev. Lett., 68 (1992) 1579.

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  物質 ,  応用 ,  展望 ,  問題