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J-GLOBAL ID：201502241718945239   整理番号：15A0518638

ナノスケールMOSトランジスタにおけるゲート酸化膜トンネル電流の磁気変調の実験およびシミュレーションの結果

Experimental and Simulation Results of Magnetic Modulation of Gate Oxide Tunneling Current in Nanoscaled MOS Transistors

著者 (7件)： RODRIGUEZ-RUIZ Gabriela A. (National Inst. Astrophysics, Optics, and Electronics, Tonantzintla, MEX) ,  GUTIERREZ-DOMINGUEZ Edmundo A. (National Inst. Astrophysics, Optics, and Electronics, Tonantzintla, MEX) ,  SARMIENTO-REYES Arturo (National Inst. Astrophysics, Optics, and Electronics, Tonantzintla, MEX) ,  STANOJEVIC Zlatan (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  KOSINA Hans (Vienna Univ. Technol., Vienna, AUT) ,  GUARIN Fernando J. (IBM, NY, USA) ,  GARCIA-RAMIREZ Pedro J. (Universidad Veracruzana, Xalapa, MEX)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 4  ページ： 387-389  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールMOSFETsに対して機械的歪を与え,平均的なキャリア移動度や電流駆動力を増強する方法が使われている。しかし,機械的ストレスはチャネル面に対して均一ではなく,その結果,不均一なチャネル面導電性が生じている。本稿では,チャネル面に平行でゲート電流には垂直な磁場Bを適用した,実験,シミュレーション法を導入し,ナノスケールMOSFETのトンネル電流の空間的不均一性を調べた。磁場BをSchroedinger-Poissonシステムに導入し,ゲート酸化膜トンネル電流に対する磁場Bの影響をシミュレーションし,実験結果と比較した。その結果,磁場Bを負から正にスイープすることはトンネルメカニズムをチャネルに沿ってソースからドレインにスキャンするのと等価であることが分かった。この方法は不均一空間分布導電性を調べるのに有効である。28nm n型Si MOSFETに適用して検証した。

シソーラス用語： Schroedinger方程式 ,  *MOSFET ,  酸化膜 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  電流 ,  計算機シミュレーション ,  磁場 ,  不均一性 ,  空間分布 ,  規模 ,  ナノ構造 ,  *トンネル効果 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： *ゲート酸化膜 ,  *トンネル電流 ,  ナノスケール

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  MOSトランジスタ ,  ゲート酸化膜 ,  トンネル電流 ,  実験 ,  シミュレーション