Ir/Ti/Ta/HfO<sub>2</sub>/TiN/Ti/SiO<sub>2</sub>/Si 抵抗スイッチング・デバイスの形成電圧に対する挿入Ta極薄層とポスト堆積アニールの影響

ASANUMA Shutaro; SHIMA Hisashi; YAMAZAKI Masashi; HAYAMA Kazumi; HATA Nobuhiro; AKINAGA Hiroyuki

文献

J-GLOBAL ID：201502242676213700 整理番号：15A0700862

Ir/Ti/Ta/HfO₂/TiN/Ti/SiO₂/Si 抵抗スイッチング・デバイスの形成電圧に対する挿入Ta極薄層とポスト堆積アニールの影響

Impact of inserted Ta ultrathin layer and postdeposition annealing on the forming voltage of Ir/Ti/Ta/HfO₂/TiN/Ti/SiO₂/Si resistive switching devices

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著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 54 号： 4S ページ： 04DD10.1-04DD10.3 発行年： 2015年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

マグネトロンスパッタによって異なるTaとTi層の厚さの Ir/Ti/Ta/HfO₂/TiN/Ti/SiO₂/Si構造の抵抗スイッチング(RS)デバイスを製作した。TiとTa層の厚さの組合せがTi(45nm)/Ta(5nm)でそして,最上層電極の堆積の後デバイスをアニールしたとき,形成電圧の低下を観察した。この試料で,熱アニーリングでTa層を通してHfO₂層からTi層への酸素イオンの移動を2次イオン質量分光法測定によって確かめた。トップ電極の厚さの組合せと,ポスト堆積アニールの有無への形成電圧の依存に基づいて,金属電極と酸化物層の物質的な組合せを変えることなくより効果的に酸化物層を低減する方法を検討した。(翻訳著者抄録)

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継電器・スイッチ

引用文献 (24件)：

H. Akinaga and H. Shima, IEICE Electron. Express 9, 795 (2012).
A. Sawa, Mater. Today 11 [6], 28 (2008).
I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M.-J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, S. O. Park, T. I. Kim, I. K. Yoo, U. Chung, and J. T. Moon, IEDM Tech. Dig., 2004, p. 587.
S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).
C. Rohde, B. J. Choi, D. S. Jeong, S. Choi, J.-S. Zhao, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 86, 262907 (2005).

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