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J-GLOBAL ID：201502242780754152   整理番号：15A0529835

小さなランダム配向種と大きな配向種から成長した太陽電池用シリコンにおける欠陥形成の比較

Comparison of defect formations in solar silicon growth from small random and large oriented seeds

著者 (7件)： HSIEH C.C. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN) ,  WU Y.C. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN) ,  LAN A. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN) ,  LAN A. (Sino-American Silicon Productions Inc., Hsin-chu, Taiwan, TWN) ,  HSU H.P. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN) ,  HSU C. (Sino-American Silicon Productions Inc., Hsin-chu, Taiwan, TWN) ,  LAN C.W. (Dep. of Chemical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei, Taiwan, TWN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 419  ページ： 1-6  発行年： 2015年06月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小さなランダム(チップ)及び大きな配向(モノ-チャック)種を用いた方向性凝固による太陽電池用シリコンインゴットを成長し,別の種から成長したインゴットを用いた欠陥形成を比較した。同様の成長環境にするため,同じルツボ中に並べて種を配置して成長した。小さなチップから成長したシリコンは,結晶粒界が存在するため,炭化物析出を受け易いが転位クラスタの伝播を軽減することが観察された。一方,転位クラスタは,単結晶領域で容易に伝播する可能性がある。結果として,インゴットはより早く成長するため,より大きな転位クラスタが,大きな配向種からのインゴット中に見出された。比較のために,エッチピット,フォトルミネッセンス,及び少数寿命からの画像を使用した。また,商用成長装置で同様の実験を実施し,小さなチップ種からの成長における転位クラスタが,チャック種からの転位クラスタより遙かに少なかった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *凝固 ,  インゴット ,  *転位【結晶】 ,  クラスタ ,  *種結晶 ,  *配向
準シソーラス用語： *方向性凝固 ,  ランダム配向

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ランダム配向 ,  配向 ,  成長 ,  太陽電池 ,  シリコン ,  欠陥形成