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J-GLOBAL ID：201502243327098380   整理番号：15A0241262

温度上昇時のヘテロエピタキシャルGaN-on-サファイア基板のX線回折のロッキングカーブ測定による反りの評価

Estimation of bowing in hetero-epitaxial GaN-on-sapphire substrate at elevated temperatures by X-ray diffraction rocking curve measurement

著者 (4件)： AIDA Hideo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, JPN) ,  AIDA Hideo (Kastec, Kyushu Univ., Kasuga-shi, Fukuoka 816-8580, JPN) ,  KIM Seong-woo (Namiki Precision Jewel Co., Ltd, 3-8-22 Shinden, Adachi-ku, Tokyo 123-8511, JPN) ,  SUZUKI Toshimasa (Nippon Inst. of Technol., 4-1 Gakuendai, Saitama 345-8501, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 412  ページ： 60-66  発行年： 2015年02月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線回折(XRD)のロッキングカーブ測定を用いて,温度上昇時のヘテロエピタキシャル膜-on-単結晶基板の反りを評価する新しい手法を提案する。新しい手法を明示するために,GaN-on-サファイア基板のサファイア(0006)反射に対して,さまざまな入射X線スリット幅と,25°Cから800°Cまでの温度範囲でXRDロッキングカーブ測定を行った。FWHMは,基板が反ると,入射X線のスリット幅の増加とともに線形的に増加し,スリット幅の増加に伴うFWHMの広がり効果の度合いが基板の反り度合いに反映することが分かった。正確な反り評価を最大800°Cまで都度測定し,周囲温度の増加に伴う反りの広がりだけではなく,凸形から凹形への反り方向の変化についても定量化した。本手法は,ヘテロエピタキシャル膜を有する,すべての種類の単結晶基板に対して理論的に応用でき,エピタキシャル成長プロセス条件の最適化に向けて,有益にフィードバックできる可能性がある。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  サファイア ,  単結晶 ,  X線回折 ,  *ロッキングカーブ ,  FWHM ,  *反り
準シソーラス用語： X線ロッキングカーブ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 温度上昇 ,  GaN ,  サファイア基板 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  反り ,  評価