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J-GLOBAL ID：201502243771947734   整理番号：15A0601228

グリーンデバイス用結晶基板の加工プロセス技術の研究開発(第8報)-特殊形状砥粒によるSiC基板の加工に関する考察-

著者 (12件)： 西澤秀明 (九大 産学連携セ) ,  瀬下清 (九大 産学連携セ) ,  山崎努 (九大 産学連携セ) ,  佐々木英二 (九大 産学連携セ) ,  塚本敬一 (九大 産学連携セ) ,  村上幸 (九大 産学連携セ) ,  光原乃里子 (九大 産学連携セ) ,  柏田真吾 (日揮触媒化成) ,  中山和洋 (日揮触媒化成) ,  小柳嗣雄 (日揮触媒化成) ,  俵迫祐二 (日揮触媒化成) ,  土肥俊郎 (九大 産学連携セ)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2015  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.I20  発行年： 2015年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiCやGaN等の次世代デバイス用基板の仕上げ加工では,球状コロイダルシリカ砥粒が用いられてきた。本研究では接触点数と総接触面積の増大化に着眼し,そして,ヘルツの接触理論からの検討と併せて,特殊形状を有する粒子を設計した。その結果,SiC基板の研磨において,球状粒子よりも高効率で高品位な加工を達成した。本講演では,この特殊形状粒子(金平糖形状粒子)を用いた際のSiC基板の加工特性を報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *基板 ,  *半導体材料 ,  半導体チップ ,  *表面加工 ,  炭化ケイ素 ,  半導体素子 ,  切削工具 ,  *研磨 ,  研磨面 ,  加工条件 ,  砥粒 ,  加工速度
準シソーラス用語： SiC ,  グリーン技術 ,  研磨パッド ,  研磨特性

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： グリーン ,  結晶 ,  加工プロセス ,  研究 ,  開発 ,  特殊形状 ,  砥粒 ,  SiC基板