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J-GLOBAL ID：201502245239925890   整理番号：15A0262252

GaN:Gd多重量子井戸中のGd³⁺:N空孔複合体に関係する光ルミネセンス

Photoluminescence related to Gd³⁺:N-vacancy complex in GaN:Gd multi-quantum wells

著者 (6件)： ALMOKHTAR Mohamed (Physics Dep., Assiut Univ., Assiut 71516, Egypt) ,  ALMOKHTAR Mohamed (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihoga-oka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  EMURA Shuichi (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihoga-oka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN) ,  KOIDE Akihiro (Graduate School of Advanced Integration Sci., Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, JPN) ,  FUJIKAWA Takashi (Graduate School of Advanced Integration Sci., Chiba Univ., 1-33 Yayoi-cho, Inage-ku, Chiba 263-8522, JPN) ,  ASAHI Hajime (The Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., 8-1 Mihoga-oka, Ibaraki, Osaka 567-0047, JPN)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 628  ページ： 401-406  発行年： 2015年04月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GdをドープしたGaN多重量子井戸(MQWs)の光ルミネセンスを提示し,Gd³⁺:N空孔複合体の形成を考慮して考察した。ドープしていないGaN MQW試料の中性ドナーの束縛励起子(D⁰X)に起因する主ピークに対して,GdをドープしたGaN MQW試料では低エネルギーの光ルミネセンスピークが観察された。Gd L_III端で観察された端部構造スペクトル近傍のX線吸収は,GdをドープしたGaN MQW試料中のGdで置換されたGaイオンに隣接する窒素空孔の存在を示していた。Ga³⁺イオンに対してより大きな直径のGd³⁺イオンによって生じるGdをドープしたGaNマトリックス中のGdドーパントの周りの局所的応力は,空孔の形成によって解放される。GaNマトリックス中のN空孔の形成エネルギー低い為に,発生した応力を開放するための有力な候補として考えられる。Gd³⁺ドーパントに隣接するGd³⁺と形成された窒素空孔からなるGd³⁺:N空孔複合体は,GaN:Gdマトリックス中で形成されやすい。GdをドープしたGaN MQW試料中で観察された低い光ルミネセンスピークエネルギーは,小さなポーラロン様の状態を形成するGd³⁺:N空孔複合体で捕獲された励起子の再結合に起因している。GdをドープしたGaN中のGd³⁺イオンの周りで捕獲された欠陥位置での小さな励起子-ポーラロン占有数を考慮したモデルを提示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *ガドリニウム化合物 ,  金属イオン ,  ドーピング ,  量子井戸 ,  *光ルミネセンス ,  励起子 ,  ポーラロン ,  空格子点 ,  窒素 ,  イオントラッピング
準シソーラス用語： *ガドリニウムイオン

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Gd ,  多重量子井戸 ,  空孔 ,  複合体 ,  光ルミネセンス