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J-GLOBAL ID：201502246143737290   整理番号：15A0362310

プラズマエッチングを使用したPtSi Schottky 障壁MOSFETの形成

Formation of PtSi Schottky barrier MOSFETs using plasma etching

著者 (3件)： WOO Young Min (Dep. of Materials Engineering, Korea Aerospace Univ., Gyeonggi-do 412-791, KOR) ,  HWANG Wan Sik (Dep. of Materials Engineering, Korea Aerospace Univ., Gyeonggi-do 412-791, KOR) ,  YOO Won Jong (Dep. of Nano Sci. and Technol., SKKU Advanced Inst. of Nano-Technology (SAINT), Sungkyunkwan Univ. (SKKU), 2066 ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 2  ページ： 021307-021307-5  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PtSi Schottky 障壁(SB)MOSFETを作り,デバイス性能を評価した。p型SB接合をつくるのに,SF₆ベースのプラズマエッチングで,このような構成を作るのが簡単なので,PtSiをNiSiの代わりに選んだ。SF₆へのHe-O₂の添加は,PtSiのエッチング速度を減少させ,一方Ptのエッチング速度は不変である。He-O₂/SF₆のPtSiのエッチング速度の遅れは,X線光電子分光法の結果が明示するようにエッチングしたPtSi表面上の金属酸化物の形成に帰された。副産物は,プラズマ反応に関係を持たないのでエッチング副産物を追跡する代わりに,原料ガスからの波長が追跡できるエンドポイントを確立するために光放出分光法を行った。いろいろなV_G-V_THでのI_DS-V_DS曲線はプラズマエッチングがS/D領域を殆ど損傷せず,側壁領域でPtの除去に成功することを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  白金化合物 ,  ケイ素化合物 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *MOSFET ,  性能 ,  P型半導体 ,  フッ化硫黄 ,  金属酸化物

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマエッチング ,  障壁 ,  MOSFET