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J-GLOBAL ID：201502246291896420   整理番号：15A0332562

長波長の発光のための量子ドットの歪エンジニアリング:GaAs(001)上に成長させた自己集合InAs量子ドットからの1.55μmを越える波長の光ルミネセンス

Strain engineering of quantum dots for long wavelength emission: Photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs(001) at wavelengths over 1.55 μm

著者 (2件)： SHIMOMURA K. (Toyota Technological Inst. 2-12-1 Hisakata, Tempaku, Nagoya 468-8511, JPN) ,  KAMIYA I. (Toyota Technological Inst. 2-12-1 Hisakata, Tempaku, Nagoya 468-8511, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 8  ページ： 082103-082103-4  発行年： 2015年02月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *量子ドット ,  格子歪 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *光ルミネセンス ,  赤外線 ,  自己集合 ,  室温 ,  制御 ,  被覆層 ,  赤外発光スペクトル ,  MBE成長
準シソーラス用語： 歪制御

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (10件)： 長波 ,  量子ドット ,  歪 ,  エンジニアリング ,  GaAs ,  成長 ,  自己集合 ,  InAs量子ドット ,  波長 ,  光ルミネセンス