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J-GLOBAL ID：201502246988447615   整理番号：15A0457075

室温でのマグネトロンスパッタリングによる透明導電性InZnO薄膜の開発と確性

Development and characterization of transparent and conductive InZnO films by magnetron sputtering at room temperature

著者 (5件)： ALEXANDER J. Nicholas (State Univ. of New York Polytechnic Inst., Colleges of Nanoscale Sci. and Engineering, 257 Fuller Rd., Albany, NY ...) ,  SUN Neville (Angstrom Sun Technologies Inc., 31 Nagog Park, Acton, MA 01720, USA) ,  SUN Richard (Angstrom Sun Technologies Inc., 31 Nagog Park, Acton, MA 01720, USA) ,  EFSTATHIADIS Harry (State Univ. of New York Polytechnic Inst., Colleges of Nanoscale Sci. and Engineering, 257 Fuller Rd., Albany, NY ...) ,  HALDAR Pradeep (State Univ. of New York Polytechnic Inst., Colleges of Nanoscale Sci. and Engineering, 257 Fuller Rd., Albany, NY ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 633  ページ： 157-164  発行年： 2015年06月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物(TCO)としてのInZnOの電気的および光学的特性を,薄膜中のインジウムと酸素の含有量と関係付けて研究した。基板の加熱またはセラミックZnOと金属インジウムターゲットからの焼鈍も無しに,InZnO薄膜(10~30wt%In)をマグネトロンスパッタリング蒸着した。薄膜の特性を,X線光電子分光(XPS),4探針プローブ,紫外可視分光(UV-vis),分光偏光解析,そしてHall測定によって調べた。InZnO薄膜は,約5.5×10^-4Ωcmの低比抵抗,約35cm²/VSの移動度,そして約3×10²⁰cm^-3のキャリア濃度の特性を有していた。透過率>80%の試料のバンドギャップエネルギーは2.7~3.2eVの範囲であった。InZnOは熱光起電力への応用に適した特性があることが示された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  インジウム ,  酸素 ,  依存性 ,  含有量 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  電気抵抗率 ,  移動度 ,  キャリア密度 ,  透過率 ,  エネルギー ,  バンドギャップ ,  光起電力 ,  熱起電力 ,  蒸着膜
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  含有量依存性 ,  *酸化インジウム亜鉛 ,  *透明導電性酸化物 ,  熱光起電力

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 室温 ,  マグネトロンスパッタリング ,  導電性 ,  開発