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J-GLOBAL ID：201502247183483328   整理番号：15A0507307

アルミニウム粉末と窒素ガスの環境に配慮した原料からのAlN厚膜の気相成長

Vapor phase epitaxy of AlN thick films from environmentally-friendly sources of Al powders and nitrogen gas

著者 (3件)： WU PeiTsen (Kyoto Univ.) ,  FUNATO Mitsuru (Kyoto Univ.) ,  KAWAKAMI Yoichi (Kyoto Univ.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12P-B1-7  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  アルミニウム ,  窒素 ,  *厚膜 ,  紫外線 ,  熱力学 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  *化合物半導体 ,  *気相成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： アルミニウム粉末 ,  窒素ガス ,  環境 ,  配慮 ,  原料 ,  AlN ,  厚膜 ,  気相成長