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J-GLOBAL ID：201502247531302456   整理番号：15A0688778

SiOCH超低k膜とF原子の相互作用 パート2:エッチング

Interaction of F atoms with SiOCH ultra low-k films. Part II: etching

著者 (9件)： RAKHIMOVA T V (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  LOPAEV D V (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  MANKELEVICH Yu A (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  KURCHIKOV K A (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  ZYRYANOV S M (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  PALOV A P (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  PROSHINA O V (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  MASLAKOV K I (Moscow State Univ., Moscow, RUS) ,  BAKLANOV M R (IMEC, Heverlee, BEL)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 17  ページ： 175204,1-14  発行年： 2015年05月08日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素原子による多孔性有機ケイ酸塩ガラス(OSG)膜エッチングメカニズムを研究するために,筆者らの研究は固体SiO₂膜とFlammの実験[1979 J.Appl.Phys.50 6211]に類似な方法で実行された。SiOCH膜サンプルは荷電粒子(イオン)とVUV光子の両方の影響なしにF原子にのみ曝される。実験はフッ素化炭素のないSF₆プラズマのかなり下流の領域で実行された。超低k(ULK)OSG膜が研究された。2.5から1.8までのk値と24%から51%までの多孔度をもつ5つのOSG膜が異なるF原子線量に曝された。化学組成の修飾と損傷が[Rakhimova et.al 2015 J.Phys.D:Appl.Phys.48 175203]で詳細に検討される。このエッチングによるOSG構造の変化に関連した問題と併せてエッチング自身のメカニズムがこの研究の主題である。

シソーラス用語： 誘電体 ,  *ケイ酸塩ガラス ,  多孔性 ,  *エッチング ,  フッ素化 ,  *プラズマ相互作用
準シソーラス用語： プラズマ-表面相互作用 ,  低k誘電体

分類 (1件)： 固体-プラズマ相互作用  (BJ02033W)

タイトルに関連する用語 (4件)： F原子 ,  相互作用 ,  パート ,  エッチング