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J-GLOBAL ID：201502250552343943   整理番号：15A0510232

実用化へ加速!SiC半導体と周辺技術開発の最新動向 総論 実用化へ加速するSiCパワー半導体と周辺技術開発の現状と展望

著者 (1件)： 奥村元 (産業技術総合研)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 63  号： 5  ページ： 18-23  発行年： 2015年05月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代の電力エネルギーネットワークシステムのキー技術として期待されるSiCとGaNのワイドギャップ半導体の開発の現状と今後の課題を概観した。SiC半導体は,従来のSiパワーデバイスにおける高耐圧化を目指したSi-IGBTの延長上に位置づけられる。またGaN半導体は,高速動作,低損失性を持つSi-MОSFETのさらなる特性改善を目指したものである。開発の現状と課題として,SiCウェハの4インチ→6インチ化,それに伴う転位欠陥などの欠陥の低減を挙げた。さらにベアウェハ上にデバイス活性層を作るエピタキシャル成長技術では,均一性に加えて表面欠陥密度の低減が課題であるとした。技術開発ロードマップを示し,第2世代,第3世代向けての課題を示した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  高速化 ,  *パワーエレクトロニクス ,  IGBT ,  窒化ガリウム ,  *半導体素子 ,  絶縁耐力 ,  高速度 ,  エピタクシー ,  表面欠陥 ,  ウエハ【IC】 ,  技術展望 ,  欠陥密度 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  高耐圧 ,  炭化ケイ素素子 ,  低損失半導体

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 実用化 ,  加速 ,  周辺技術 ,  開発 ,  最新動向 ,  SiC ,  パワー半導体 ,  現状 ,  展望