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J-GLOBAL ID：201502251196832957   整理番号：15A0146411

照射の影響下でのヘテロバイポーラトランジスタの薄いベースを通る電荷キャリアの移動

Transport of charge carriers through the thin base of a heterobipolar transistor under the impact of radiation

著者 (4件)： PUZANOV A. S. (Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  OBOLENSKII S. V. (Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  KOZLOV V. A. (Lobachevsky State Univ. of Nizhni Novgorod, 603950, Nizhni Novgorod, RUS) ,  KOZLOV V. A. (Russian Acad. of Sciences, Inst. for Physics of Microstructures, 603950, Nizhni Novgorod, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 1  ページ： 69-74  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 照射欠陥を持つヘテロバイポーラトランジスタの中の電子輸送を,欠陥クラスタの典型的サイズおよびその間の距離が素子ベースのサイズと同程度かあるいはそれを超す条件下で調べた。ある照射レベルにおいては,中性子照射がベースを通過するホットエレクトロンの飛行時間を縮め,それによりトランジスタパラメータの劣化が遅れることを示した。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 格子欠陥 ,  *バイポーラトランジスタ ,  *輸送現象 ,  クラスタ ,  *中性子照射 ,  時間 ,  ベース【半導体】 ,  キャリア ,  *耐放射線性
準シソーラス用語： *欠陥クラスタ ,  *照射欠陥 ,  *電荷キャリア ,  *電子輸送 ,  飛行時間 ,  放射線欠陥

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  中性子との相互作用  (BK16060O)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電荷キャリア