文献

J-GLOBAL ID：201502251255835353   整理番号：15A0529433

格子整合InAlN/GaN MOSHEMTの界面状態密度依存性に基づくシート電荷密度と閾値電圧を予測するモデル

A model predicting sheet charge density and threshold voltage with dependence on interface states density in LM-InAlN/GaN MOSHEMT

著者 (2件)： PANDEY Devashish (National Inst. of Technol. Silchar, Dep. of Electronics and communication Engineering, 788010, Silchar, Assam, IND) ,  LENKA T. R. (National Inst. of Technol. Silchar, Dep. of Electronics and communication Engineering, 788010, Silchar, Assam, IND)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 4  ページ： 513-518  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HEMTデバイスの性能を決定する上で,酸化膜/半導体界面のトラップ密度は,極めて重要なファクタである。そのファクタは,値が小さい場合は無視できるが,値が大きくなるとデバイスの性能を劣化させるため,その影響を見落とせない。この点で,格子不整合(LM)In_0.17Al_0.83N/GaNベースMOSHEMTに関係した表面ポテンシャル,表面電荷濃度および閾値のような重要なパラメータを関連付けながら,モデル化した。このモデルで,電流減少およびHEMTで深刻な問題を引き起こす閾値電圧ピニングを導く表面ポテンシャルピニングのような現象を説明できる。ゲート金属として使用することができる金属の選択についての考察も行った。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *MOS構造 ,  *HEMT ,  状態密度 ,  *電荷分布 ,  電圧 ,  固体素子モデル ,  酸化膜 ,  半導体 ,  界面 ,  表面電位 ,  ピン止め ,  化合物半導体 ,  格子整合 ,  *アルミニウム化合物
準シソーラス用語： トラップ密度 ,  界面状態密度 ,  閾値電圧 ,  *窒化インジウムアルミニウム ,  電荷密度

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 格子整合 ,  InAlN ,  GaN ,  界面状態密度 ,  依存性 ,  電荷密度 ,  閾値電圧 ,  予測 ,  モデル