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J-GLOBAL ID：201502251390066092   整理番号：15A0532901

水素インターカレーション:グラフェンへの二酸化珪素基板からのドーピングを無くす方法

Hydrogen intercalation: An approach to eliminate silicon dioxide substrate doping to graphene

著者 (8件)： IWASAKI Takuya (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  SUN Jian (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  KANETAKE Nozomu (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  CHIKUBA Takuo (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  AKABORI Masashi (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  MURUGANATHAN Manoharan (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  MIZUTA Hiroshi (Univ. Southampton, Southampton, GBR)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 8  号： 1  ページ： 015101.1-015101.4  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱アニール処理中のグラフェンへのSiO₂基板からのドーピングを無くすための,水素インターカレーションによる有効な方法を提示する。高温に晒されるために,従来の真空アニールプロセスは基板において酸素欠損欠陥とダングリング・ボンドを形成する。その結果,p型にドーピングされたグラフェンがn型に多量ドーピングされたタイプに変化する。対照的に,水素雰囲気中のアニール処理はグラフェン-SiO₂界面において水素インターカレーションをもたらし,その結果,高温処理中に形成された基板のダングリングボンドを有効に終端化する。したがって,支持基板を有するグラフェンは,基板による「汚染から逃れられた状態」のままでいられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インターカレーション ,  *グラフェン ,  基板 ,  *ドーピング ,  雰囲気 ,  *焼なまし ,  汚染
準シソーラス用語： アニール処理 ,  *水素終端 ,  水素雰囲気 ,  石英基板

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (25件)：

• A. K. Geim and K. S. Novoselo, Nat. Mater. 6, 183 (2007).
• F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 5, 487 (2010).
• P. Avouris, Nano Lett. 10, 4285 (2010).
• J. Sun, W. Wang, M. Muruganathan, and H. Mizuta, Appl. Phys. Lett. 105, 033103 (2014).
• M. C. Lemme, T. J. Echtermeyer, M. Baus, and H. Kurz, IEEE Electron Device Lett. 28, 282 (2007).

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  インターカレーション ,  グラフェン ,  珪素基板 ,  ドーピング