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J-GLOBAL ID：201502251692580380   整理番号：15A0758839

二次元Ge,Sn,およびPbにおける電気的に操作されたバンドギャップ:第一原法理および強束縛法でのアプローチ

Electrically Engineered Band Gap in Two-Dimensional Ge, Sn, and Pb: A First-Principles and Tight-Binding Approach

著者 (6件)： KALONI Thaneshwor P. (Univ. Manitoba, Manitoba, CAN) ,  MODARRESI Mohsen (Ferdowsi Univ. Mashhad, Mashhad, IRN) ,  TAHIR Muhammad (Concordia Univ., Quebec, CAN) ,  ROKNABADI Mahmood Rezaee (Ferdowsi Univ. Mashhad, Mashhad, IRN) ,  SCHRECKENBACH Georg (Univ. Manitoba, Manitoba, CAN) ,  FREUND Michael S. (Univ. Manitoba, Manitoba, CAN)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 119  号： 21  ページ： 11896-11902  発行年： 2015年05月28日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンに類似した二次元構造をしたGe,Sn,およびPbの電子構造を,スピン-軌道結合に併せて直角方向に電場がある場合とない場合について第一原理DFT計算により調べた。第一原理からの結果は,原子当り4個の軌道と有効単軌道に基づく強束縛近似での計算と一致した。第一原理および強束縛近似法の両アプローチで,電子帯の構造とバンドの分裂を検討した。外部電場とスピン-軌道結合が存在する状態ではスピントロニクスで有用であるバンドの大きな分裂が得られた。バンドの分裂を解釈するために単純なk・pモデルを用いた。六方2Dナノ構造に対する強束縛近似法でのパラメータを表にまとめた。このパラメータを用いた強束縛近似法により,スピン-軌道結合が存在する状態での2個の準無限大の長さを持つ電極の間に置かれた0次元三角形量子ドットの輸送特性を取り扱った。

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *スズ ,  *鉛 ,  *バンドギャップ ,  第一原理 ,  強束縛近似 ,  スピン-軌道相互作用 ,  密度汎関数法 ,  バンド構造 ,  スピントロニクス ,  六方晶系 ,  量子ドット ,  *構造 ,  特性
準シソーラス用語： スピン・軌道結合 ,  *二次元構造 ,  電子帯構造 ,  輸送特性

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  Sn ,  Pb ,  バンドギャップ ,  束縛