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J-GLOBAL ID：201502251794400999   整理番号：15A0249711

レーザ干渉リソグラフィーと電気化学エッチングによる300nm周期の細孔アレイの形成

Formation of 300 nm period pore arrays by laser interference lithography and electrochemical etching

著者 (5件)： LIU J. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA) ,  KLEIMANN P. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA) ,  LAFFITE G. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA) ,  JAMOIS C. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA) ,  OROBTCHOUK R. (Inst. des Nanotechnologies de Lyon (INL), Univ. de Lyon, UMR 5270, CNRS-INSA-ECL-UCBL, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 5  ページ： 053107-053107-4  発行年： 2015年02月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： リソグラフィー ,  エッチング ,  細孔 ,  アレイ ,  ナノ構造 ,  周期構造 ,  *ケイ素 ,  アスペクト比 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： *レーザ干渉リソグラフィー ,  *電気化学エッチング ,  ナノアレイ ,  *ナノ細孔 ,  シリコンウエハ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ干渉リソグラフィー ,  電気化学エッチング ,  周期 ,  細孔 ,  アレイ