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J-GLOBAL ID：201502252221718290   整理番号：15A0491564

シリコン表面超構造における超伝導輸送現象

Electron Transport in Superconducting Silicon Surface Reconstructions

著者 (2件)： 内橋隆 (物質・材料研究機構) ,  吉澤俊介 (物質・材料研究機構)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 36  号： 3  ページ： 112-117 (J-STAGE)  発行年： 2015年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： シリコン(Si)表面超構造における超伝導輸送現象を研究した。金属吸着原子によるSi表面再構成は原子スケール厚みの二次元系であるが,ここでは走査トンネル顕微鏡(STM)測定などの電子輸送測定法による半導体表面超構造の一種であるSi(111)-(√7×√3)-インジウム(In)の超伝導転移測定を示した。実験結果とともに表面超伝導体の将来展望にも言及した。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  表面構造 ,  *超伝導 ,  *輸送現象 ,  相転移 ,  超伝導体 ,  表面再構成 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  インジウム ,  長さ
準シソーラス用語： In ,  シリコン ,  原子スケール ,  走査トンネル顕微鏡 ,  超伝導転移 ,  *電子輸送

分類 (2件)： 物理分析一般  (CC03011F) ,  超伝導体の物性一般  (BM04021A)

引用文献 (36件)：

• 1) V.G. Lifshits, A.A. Saranin and A.V. Zotov: “Surface Phases on Silicon: Preparation, Structures, and Properties” (Wiley, Chichester, 1994).
• 2) 長谷川修司: 日本物理学会誌 54, 347 (1999).
• 3) H.W. Yeom, S. Takeda, E. Rotenberg, I. Matsuda, K. Horikoshi, J. Schaefer, C.M. Lee, S.D. Kevan, T. Ohta, T. Nagao and S. Hasegawa: Phys. Rev. Lett. 82, 4898 (1999).
• 4) T. Uchihashi and U. Ramsperger: Appl. Phys. Lett. 80, 4169 (2002).
• 5) T. Tanikawa, I. Matsuda, T. Kanagawa and S. Hasegawa: Phys. Rev. Lett. 93, 016801 (2004).

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  伝導 ,  輸送現象