WONGPIYA Ranida について
Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
OUYANG Jiaomin について
Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
CHUNG Chia-jung について
Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
DUONG Duc T. について
Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
DEAL Michael について
Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
NISHI Yoshio について
Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
CLEMENS Bruce について
Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA について
Journal of Applied Physics について
ゲート【半導体】 について
チタン化合物 について
窒化物 について
薄膜 について
添加物効果 について
コバルト について
アモルファス化 について
ナノ結晶 について
埋込み【挿入】 について
構造特性 について
電気特性 について
熱安定性 について
表面性状 について
仕事関数 について
電気抵抗率 について
多結晶 について
拡散障壁 について
化学蒸着 について
適応性 について
非晶質 について
トランジスタ について
メタルゲート について
窒化チタン について
表面粗度 について
原子層堆積 について
金属の結晶構造 について
その他の無機化合物の電気伝導 について
トランジスタ について
メタルゲート について
構造特性 について
電気特性 について
評価 について