文献

J-GLOBAL ID：201502254256541883   整理番号：15A0145320

エネルギーマネジメントに貢献するパワー半導体 パワー半導体の現状と展望

著者 (4件)： 高橋良和 (富士電機 電子デバイス研 次世代モジュール開発セ) ,  藤平龍彦 (富士電機) ,  藤平龍彦 (富士電機 電子デバイス研) ,  宝泉徹 (富士電機)
資料名： 富士電機技報  (Fuji Electric Journal)
巻： 87  号： 4  ページ： 234-239  発行年： 2014年12月30日 
JST資料番号： F0080A  ISSN： 2187-1817  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿では,パワーエレクトロニクス技術のキーデバイスであるパワー半導体について,パワーモジュール,パワーディスクリート・パワーICを中心に,最近の技術および,富士電機製の製品の現状と展望を述べた。パワーモジュール関連では,SiCを用いたSBDとSiのIGBTとを組み合わせた1,200V耐圧SiCハイブリッドモジュール,メガソーラー用パワーコンディショナー向けAll-SiCモジュール,産業用RC-IGBTモジュール,ハイブリッド車用アルミニウム直接水冷パッケージ技術について述べた。パワーディスクリート・パワーIC関連では,臨界モード力率改善制御IC,LLC電流共振電源の制御用IC,および自動車用大電流IPS(インテリジェントパワースイッチ)について述べた。

シソーラス用語： *パワーエレクトロニクス ,  電力トランジスタ ,  炭化ケイ素 ,  IGBT ,  電力変換器 ,  電気自動車 ,  ハイブリッド自動車 ,  太陽光発電 ,  力率補償 ,  *回路モジュール ,  Schottky障壁ダイオード ,  *半導体素子 ,  半導体集積回路 ,  技術展望 ,  直流電源

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (8件)：

• 木下明将ほか."高温でのVfを特徴とした600V/1,200VクラスSiC-SBD". つくば市. 2010-10-21. 応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第19回講演.
• Horio, M. et al. "Ultra Compact and High Reliable SiC MOSFET Power Module with 200°C Operating Capability″, Proceedings of ISPSD 2012. p.81-84.
• Voss, S. "Anode Design Variation in 1200-V Trench Field-stop Reverse-conducting IGBTs″. Proceeding of ISPSD 2008. p.169-172.
• Takahashi, K. et al. ″New Reverse-Conducting IGBT(1200V) with Revolutionary Compact Package″, Proceedings of ISPSD 2014. p.131-134.
• Gohara, H. et al.″Next-gen IGBT module structure for hybrid vehicle with high cooling performance and high temperature operation″. Proceedings of PCIM Europe 2014. May 20-22, Nuremberg, p.1187-1194.

タイトルに関連する用語 (4件)： エネルギーマネジメント ,  パワー半導体 ,  現状 ,  展望