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J-GLOBAL ID：201502254259888086   整理番号：15A0298488

エネルギー変換用600,1200,3300VプレーナSiC-MOSFETの特性

Characteristics of 600, 1200, and 3300V Planar SiC-MOSFETs for Energy Conversion Applications

著者 (3件)： IMAIZUMI Masayuki (Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN) ,  MIURA Naruhisa (Mitsubishi Electric Corp., Amagasaki, JPN) ,  MIURA Naruhisa (Future Power Electronics Technol., Minato, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 390-395  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 再酸化プロセスを使って製作した高閾値電圧600V SiC-MOSFETはオン抵抗と閾値電圧のトレードオフを大きく改善した。定格1200V/100Aの低損失SiC-MOSFETが開発されている。開発されているSiC-MOSFETを使って,150°Cでのオン抵抗が2.9mΩと低い1200V/800A高出力全SiCモジュールの製作に成功した。高出力モジュールは特に高いキャリア周波数でパワーロスを大きく低減させた。175°Cでのオン抵抗が52mΩのダイ面積3300V SiC-MOSFETは妥当な逆バイアス安全動作領域を示し,ボディダイオード電流ストレスをかけて選別した3300V SiC-MOSFETは,ボディダイオードを通した連続電流の下で1000時間安定な特性を示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  回路モジュール ,  パワーエレクトロニクス ,  限界 ,  バイアス ,  *炭化ケイ素 ,  半導体素子 ,  電圧 ,  スイッチング損失 ,  電流電圧特性 ,  *エネルギー変換 ,  酸化 ,  オン抵抗 ,  トレードオフ
準シソーラス用語： SiC ,  SiC素子 ,  パワーモジュール ,  安全動作範囲 ,  逆バイアス ,  再酸化 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： エネルギー変換 ,  プレーナ