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J-GLOBAL ID：201502254904864863   整理番号：15A0626576

量子容量限界でのDGとUTBB MOSFETの反転ゲート容量の為の解析モデル

Analytical Model for the Inversion Gate Capacitance of DG and UTBB MOSFETs at the Quantum Capacitance Limit

著者 (5件)： HIBLOT Gaspard (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  HIBLOT Gaspard (Minatec-Grenoble Inst. Technol., Grenoble, FRA) ,  RAFHAY Quentin (Minatec-Grenoble Inst. Technol., Grenoble, FRA) ,  BOEUF Frederic (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GHIBAUDO Gerard (Minatec-Grenoble Inst. Technol., Grenoble, FRA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 5  ページ： 1375-1382  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V材料のような有効質量の小さいチャネル材料は輸送特性に優れているが,小さい状態密度(DOS)がダークスペース(DS)を増やして性能を低下させる。しかしながら,ダブルゲート(DG)や超薄ボディ(UTBB)MOSFETのような強く閉じ込められた構造ではDSとゲート容量の関係が明らかではない。軽質量チャネル材料のUTBBとDG MOSFETのゲート容量モデルを提案する。まず,モデルを一つだけのサブバンドが占有されているという仮定と,対応するエネルギーレベル計算に量子揺らぎ理論を使ってモデルを導いた。次に,このモデルをPoisson-Schroedingerシミュレーションで確認した。量子限界ではDGとUTBBは共に同じゲート容量すなわち量子容量を持ち,この量子容量はSiと比べてIII-V材料のC_tot/C_g比を低下させることが分かった。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  容量 ,  酸化膜 ,  超薄膜 ,  *解析モデル ,  状態密度 ,  量子ゆらぎ ,  エネルギー準位 ,  限界 ,  量子論 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  エネルギーレベル ,  コンパクトモデル ,  ダブルゲート ,  埋込み酸化膜 ,  量子限界 ,  *量子容量

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 量子容量 ,  限界 ,  dG ,  MOSFET ,  反転 ,  ゲート容量 ,  解析モデル