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J-GLOBAL ID：201502255046828043   整理番号：15A0247561

反応性マグネトロンスパッタリングにより堆積したBi₄V₂O₁₁とBITAVOX.20被膜

Bi₄V₂O₁₁ and BITAVOX.20 coatings deposited by reactive magnetron sputtering

著者 (4件)： DEREEPER E. (IRTES-LERMPS, UTBM, Site de Montbeliard, F90010 Belfort Cedex, FRA) ,  BRIOIS P. (IRTES-LERMPS, UTBM, Site de Montbeliard, F90010 Belfort Cedex, FRA) ,  VANNIER R.-N. (Unite de Catalyse et de Chimie du Solide, UMR CNRS 8181, Univ. Lille 1, ENSCL, BP 90108, 59652 Villeneuve d’Ascq ...) ,  BILLARD A. (IRTES-LERMPS, UTBM, Site de Montbeliard, F90010 Belfort Cedex, FRA)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 153  ページ： 9-16  発行年： 2015年03月01日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi₄V₂O₁₁とBITAVOX.20(Bi₂Ta_0.2V_0.8O_5.5)膜はBi,V及びTaの金属ターゲットから反応性条件下でマグネトロンのスパッタリングによって堆積した。膜組成に対するスパッタリング条件の影響を研究し,それから,種々の温度での構造的な研究を行った。アニーリングの前に膜は非晶質であり,BITAVOX.20は425°Cで結晶化が始まるが,γ-Bi₄V₂O₁₁構造は550°C以上の温度での処理により得られる。両者の場合,中間のフルオライト相を介して結晶化が起こり,Aurivillius構造を有する他の化合物について既に観察されているような,正方晶系の変形を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *バナジウム酸塩 ,  *ビスマス化合物 ,  *タンタル酸塩 ,  マグネトロンスパッタリング ,  反応性スパッタリング ,  *蒸着膜 ,  化学組成 ,  温度依存性 ,  結晶構造 ,  結晶化 ,  正方晶系 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *バナジウム酸タンタル酸ビスマス ,  バナジウム酸ビスマス ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  非晶質薄膜

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  被膜