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J-GLOBAL ID：201502255419920433   整理番号：15A0295361

高性能窒化インジウムガリウム/窒化ガリウム系薄膜垂直発光ダイオードのためのn型接触設計及びチップサイズの最適化

Optimizing n-type contact design and chip size for high-performance indium gallium nitride/gallium nitride-based thin-film vertical light-emitting diode

著者 (7件)： HAN Jaecheon (LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR) ,  HAN Jaecheon (Dep. of Nanophotonics, Korea Univ., Seoul, 136-713, KOR) ,  LEE Daehee (LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR) ,  JIN Boram (LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR) ,  JEONG Hwanhee (LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR) ,  SONG June-O (LED Div., LG Innotek Co., Ltd., Paju-City, 413-901, KOR) ,  SEONG Tae-Yeon (Dep. of Nanophotonics, Korea Univ., Seoul, 136-713, KOR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 31  ページ： 153-159  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固体照明応用のためのGaN系LED性能を最適化するために,薄膜垂直発光ダイオード(VLED)の電気,光学,及び,熱特性に及ぼすn接触設計とチップサイズの影響を調べた。小型(チップサイズ:1000×1000μm²)及び大型(1450×1450μm²)VLEDにおいて,順方向バイアス電圧は,n接触バイアホール数が増加するにつれて,それぞれ,350mAで3.22から3.12Vへ,700mAで3.44から3.16Vに減少する。小型LEDは,350mAの駆動電流で651.0-675.4mWの最大出力パワーを与え,一方,大型VLEDは,700mAで1356.7-1380.2mWの範囲の光出力パワーを示す。駆動電流が増加すると小型チップは,大きなチップよりもウォールプラグ効率のより深刻な劣化を経験する。小型チップは,350mAで51.1-57.2°Cの範囲の接合部温度を与えるが,一方,大型チップは,700mAで83.1-93.0°Cの接合部温度を示す。小型LEDチップは,より多くのn接触バイアホールを形成した時,より低い接合部温度を示す。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *薄膜 ,  *垂直 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  接触 ,  最適化 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  接合部 ,  温度 ,  バイアホール
準シソーラス用語： コンタクト

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高性能 ,  窒化インジウムガリウム ,  窒化ガリウム ,  薄膜 ,  垂直 ,  発光ダイオード ,  設計 ,  チップサイズ ,  最適化