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J-GLOBAL ID：201502255469962340   整理番号：15A0743132

プラズマドーピングプロセスの電気的活性化,不活性化,再活性化機構の研究

Electrical Activation, Deactivation, and Reactivation Mechanism Study of Plasma Doping Processes

著者 (1件)： QIN Shu (Micron Technol., Inc., ID, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 6  ページ： 1991-1997  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄接合の形成にプラズマドーピングのような低エネルギー高ドーズの方法が使われるが,高濃度のドーパントはその後500~800°Cの熱処理を受けると不活性化されやすい。n型のPH₃とAsH₃,p型のB₂H₆とBF₃のPLADで電気的活性化,不活性化,再活性化機構に関して調べた。不活性化と再活性化特性はイオン種に関係なくキャリアだけに依存するので,キャリア(自然酸化膜中のトラップ)の電気アシスト拡散を主なドーパント不活性化動力学の仮定として確認した。ビームライン(BL)インプラントと同じ特性で,n型PLADはn型PLADよりも深刻な不活性化を示した。n型PLADはBLよりも大きな再活性化効果を示す。不活性化機構の研究に従い,解決策を提案しnMOSデバイスの不活性化問題を低減させた。

シソーラス用語： *不活性化 ,  ドーピング ,  プラズマ処理 ,  *活性化 ,  偏析 ,  ホスフィン ,  アルシン ,  ジボラン ,  二次イオン質量分析 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： SIMS分析 ,  ディアクティベーション ,  *プラズマドーピング ,  再活性化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマドーピング ,  プロセス ,  電気的活性 ,  不活性化 ,  再活性化 ,  研究