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J-GLOBAL ID：201502255765477058   整理番号：15A0498154

強誘電性SiドーピングHfO₂薄膜へのTaN界面特性と電場サイクルの影響

TaN interface properties and electric field cycling effects on ferroelectric Si-doped HfO₂ thin films

著者 (9件)： LOMENZO Patrick D. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  TAKMEEL Qanit (Dep. of Materials Sci. and Engineering at the Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  ZHOU Chuanzhen (Analytical Instrumentation Center, Coll. of Engineering at North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27696 ...) ,  FANCHER Chris M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering at North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27696, USA) ,  LAMBERS Eric (Major Analytical Instrumentation Center at the Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  RUDAWSKI Nicholas G. (Major Analytical Instrumentation Center at the Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  JONES Jacob L. (Dep. of Materials Sci. and Engineering at North Carolina State Univ., Raleigh, North Carolina 27696, USA) ,  MOGHADDAM Saeed (Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering at the Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  NISHIDA Toshikazu (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 13  ページ： 134105-134105-10  発行年： 2015年04月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  *酸化ハフニウム ,  *タンタル化合物 ,  *窒化物 ,  *界面 ,  *電場 ,  サイクル ,  強誘電性 ,  厚み ,  記録 ,  電極 ,  強誘電体 ,  非対称性 ,  素子構造 ,  スパッタ蒸着 ,  X線光電子分光法 ,  強誘電分域 ,  空格子点 ,  残留分極 ,  誘電率 ,  電流 ,  曲線
準シソーラス用語： スイッチング電流 ,  パルス電流 ,  ヒステリシスループ ,  *界面特性 ,  *強誘電性薄膜 ,  金属-強誘電体-金属構造 ,  高密度記録 ,  酸素空孔 ,  内部電場 ,  *窒化タンタル

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 強誘電性 ,  Si ,  ドーピング ,  HfO2 ,  薄膜 ,  界面特性 ,  電場 ,  サイクル