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J-GLOBAL ID：201502256042435027   整理番号：15A0497473

イオンビーム強化蒸着法によって作製したZnO:(Li,N)薄膜の特性に及ぼすポストアニーリング時間の影響

Influence of post-annealing time on properties of ZnO: (Li, N) thin films prepared by ion beam enhanced deposition method

著者 (3件)： XIE Jiansheng (Changzhou Univ., Functional Materials Lab., 213016, Changzhou, Jiangsu, CHN) ,  LU Qi-Fei (Changzhou Univ., Functional Materials Lab., 213016, Changzhou, Jiangsu, CHN) ,  CHEN Qiang (Changzhou Univ., Functional Materials Lab., 213016, Changzhou, Jiangsu, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 5  ページ： 2669-2673  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビーム強化蒸着法によりLi濃度が4at.%のリチウム及び窒素二重添加ZnO膜[ZnO:(Li,N)]をガラス基板上に成長させ,次に,空気流中で焼鈍し,その構造,光学及び電気特性に及ぼす焼鈍時間の影響を検討した。共添加ZnO:(Li,N)膜はZnOウルツ鉱構造を示し,空気中500°Cで焼鈍した膜の電気特性は最低抵抗率が10.83Ωcmのp型電気伝導率を示した。可視光範囲の光透過率は80%であり,p型添加後の膜のバンドギャップは明らかに狭かった。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： イオンビーム蒸着 ,  リチウム ,  窒素 ,  添加 ,  *酸化亜鉛 ,  *薄膜成長 ,  *焼なまし ,  薄膜 ,  *キャラクタリゼーション ,  基板 ,  電気装置部品 ,  光学的性質 ,  電気特性 ,  電気抵抗率 ,  P型半導体 ,  電気伝導率 ,  透過率 ,  バンドギャップ ,  時間依存性 ,  X線回折 ,  特性 ,  *化合物半導体 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  スペクトル特性 ,  光透過率 ,  *酸化物半導体 ,  焼鈍 ,  特性化

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： イオンビーム ,  強化 ,  蒸着 ,  作製 ,  ZnO ,  Li ,  薄膜 ,  ポストアニーリング